【大比特导读】郭建军认为，目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品，为了做到更小的电阻，就要避免更多的单体，因此在规范化期间做到更高耐压1200伏，1700伏则是它的优势。
在11月8日的“第十三届(上海)新能源汽车核心电源技术研讨会”上，长园维安产品应用经理郭建军先生带来了《超结SJ-MOSFET 在充思思福利导航领域的应用》的主题演讲。
郭经理演讲内容大致可分为MOSFET ID&IDM、防止LLC启动/短路，MOSFET直通的电路，浪涌抑制电路、新能源充思思福利导航/充电桩以及长园维安SJ-MOSFET。
作为研讨会当日第一位出场演讲嘉宾，郭经理首先介绍了MOSFET的内部框架，如下图中间红色部分是主芯片，周围布满银胶形状主要是起连接作用，最外层的塑封体是用于绝缘固化，整个框架可以理解为是一个散热器。再如下正视图可见，中间区域为有源区，边缘处为终端区，如果放大内部构造看的话，是可以看到单个MOS的模块是串联并联的状态，并且单体的性能决定了整体的性能，另外MOS模块要做到高度电压，就要串联更多的模块。
郭建军认为，目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品，为了做到更小的电阻，就要避免更多的单体，因此在规范化期间做到更高耐压1200伏，1700伏则是它的优势。
SJ-MOSFET主要工艺
据郭建军介绍，SJ-MOSFET 主要工艺 Multi-EPI 多次外延首先从为N- epi 生长、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循环多次迭代形成结构、制作MOS表面结构。
而SJ-MOSFET 主要工艺-Deep Trench 深沟槽首先是N- epi生长、然后刻蚀深沟槽、再者生长P型外延、最后才是制作MOS表面结构。
MOSFET封测顺序则是晶粒切割、晶粒黏贴、焊线、塑封、切割成型以及最终测试。
MOSFET IDM：
1) 在一定的脉冲宽度下，基于功率MOSFET的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值。
2) 在一定的脉冲宽度下，基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。
(3) IDM 最大漏极电流也由器件源极键合引线的熔断电流决定。
防止LLC启动/短路，MOSFET直通的电路
郭建军表示，推荐使用MOSFET 内部快速恢复二极管，而例如 INF CFD2，则有成本高，未从源头消除问题的不足之处。
浪涌抑制电路
郭建军对于浪涌抑制电路较为理想，他认为它的优势在于GDT 小的技术电容不影响信号和系统连接;MOV 漏电流更小(MOV 理解为待机状态，不是时刻都接入到母线中);开关电源和白色家电产品延长MOV 的寿命，提高系统可靠性。
车载充思思福利导航
结合今次新能源汽车主题，长园维安第三代深沟槽工艺应用于车载充思思福利导航上防浪涌防雷电路、有源PFC整流器、主功率、辅助电源+5V和+12V。
最后，SJ-MOS创新封装优势在于无引脚封装，低寄生电感还有助于最大限度地减少电磁干扰，尺寸更小，适合更高的功率密度产品，(3200VAC,100%测试)热阻与普通TO-22—样省去绝缘垫片和绝缘粒节省或者减小散热片，半桥拓扑无需使用绝缘垫。
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上海长园维安微日本电影100禁在线看有限公司的产品应用经理郭建军将出席“第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”，并带来《超结 SJ-MOSFET 在充思思福利导航领域的应用》的主题演讲。
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