广告
广告
您的位置 资讯中心 > 专题报道 > 正文

满足新能源充电标准 长园维安MOS模块创新封装

2019-11-21 10:21:54 来源:大比特高清av网 点击:740

【大比特导读】郭建军认为,目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品,为了做到更小的电阻,就要避免更多的单体,因此在规范化期间做到更高耐压1200伏,1700伏则是它的优势。

在11月8日的“第十三届(上海)新能源汽车核心电源技术研讨会”上,长园维安产品应用经理郭建军先生带来了《超结SJ-MOSFET 在充思思福利导航领域的应用》的主题演讲。

郭经理演讲内容大致可分为MOSFET ID&IDM、防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路,浪涌抑制电路、新能源充思思福利导航/充电桩以及长园维安SJ-MOSFET。

作为研讨会当日第一位出场演讲嘉宾,郭经理首先介绍了MOSFET的内部框架,如下图中间红色部分是主芯片,周围布满银胶形状主要是起连接作用,最外层的塑封体是用于绝缘固化,整个框架可以理解为是一个散热器。再如下正视图可见,中间区域为有源区,边缘处为终端区,如果放大内部构造看的话,是可以看到单个MOS的模块是串联并联的状态,并且单体的性能决定了整体的性能,另外MOS模块要做到高度电压,就要串联更多的模块。

MOSFET
MOSFET

郭建军认为,目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品,为了做到更小的电阻,就要避免更多的单体,因此在规范化期间做到更高耐压1200伏,1700伏则是它的优势。

SJ-MOSFET主要工艺

据郭建军介绍,SJ-MOSFET 主要工艺 Multi-EPI 多次外延首先从为N- epi 生长、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循环多次迭代形成结构、制作MOS表面结构。

而SJ-MOSFET 主要工艺-Deep Trench 深沟槽首先是N- epi生长、然后刻蚀深沟槽、再者生长P型外延、最后才是制作MOS表面结构。

MOSFET封测顺序则是晶粒切割、晶粒黏贴、焊线、塑封、切割成型以及最终测试。

MOSFET IDM

1) 在一定的脉冲宽度下,基于功率MOSFET的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值。

2) 在一定的脉冲宽度下,基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。

(3) IDM 最大漏极电流也由器件源极键合引线的熔断电流决定。

防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路

郭建军表示,推荐使用MOSFET 内部快速恢复二极管,而例如 INF CFD2,则有成本高,未从源头消除问题的不足之处。

防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路

浪涌抑制电路

郭建军对于浪涌抑制电路较为理想,他认为它的优势在于GDT 小的技术电容不影响信号和系统连接;MOV 漏电流更小(MOV 理解为待机状态,不是时刻都接入到母线中);开关电源和白色家电产品延长MOV 的寿命,提高系统可靠性。

浪涌抑制电路
 

车载充思思福利导航

结合今次新能源汽车主题,长园维安第三代深沟槽工艺应用于车载充思思福利导航上防浪涌防雷电路、有源PFC整流器、主功率、辅助电源+5V和+12V。

车载充思思福利导航
车载充思思福利导航SJ-MOS模块

最后,SJ-MOS创新封装优势在于无引脚封装,低寄生电感还有助于最大限度地减少电磁干扰,尺寸更小,适合更高的功率密度产品,(3200VAC,100%测试)热阻与普通TO-22—样省去绝缘垫片和绝缘粒节省或者减小散热片,半桥拓扑无需使用绝缘垫。

本文为大比特资讯原创文章,如需转载请在文前注明来源大比特资讯及作者信息,否则将严格追究法律责任。

分享到:
阅读延展
MOSFET 充思思福利导航
  • 长园维安将出席“第七届新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”

    长园维安将出席“第七届新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”

    上海长园维安微日本电影100禁在线看有限公司的产品应用经理郭建军将出席“第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”,并带来《超结 SJ-MOSFET 在充思思福利导航领域的应用》的主题演讲。

  • 把MOSFET替换成GaN器件,65W电源适配器就能秒变100W水平?

    把MOSFET替换成GaN器件,65W电源适配器就能秒变100W水平?

    日前,在PI的媒体见面会上,Power Integrations资深技术经理阎金光(Jason Yan)告诉记者,该公司已将PowiGaN开关技术(PI的GaN技术)扩展到了InnoSwitch3 ,从而扩展了其使用范围。

  • 超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

    超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

    本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案,关键参数优于竞争对手,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。

  • PowiGaN IC市场技术的先行者

    PowiGaN IC市场技术的先行者

    人们常说一句,市场上没有永远的真正赢家。一直以来功率MOSFET器件在模拟电路与数字电路中都占据着主导位置,但随着技术的不断进步,GaN功率器件的出现逐渐在挑战其他功率器件的地位。

  • 罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

    罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

    据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1 6 x1 6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体

  • 儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS 功率MOSFET

    儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS 功率MOSFET

    英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力日本电影100禁在线看高清av平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS BiC功率MOSFET产品信息。

  • 2019年年末协会思思福利导航培训首日内容精彩 人气旺盛

    2019年年末协会思思福利导航培训首日内容精彩 人气旺盛

    记者从主办方获悉,本次培训共分为两天,共邀请了徐强华、王正仕两位资深专家作为主讲老师,培训的主要内容有《开关电源变压器设计和EMC设计、测试及风险评估》、《电动汽车车载充思思福利导航(OBC)电源与磁元件》。

  • 浙江大学电气工程学院-电动汽车充思思福利导航(OBC)技术方案与最新动向

    浙江大学电气工程学院-电动汽车充思思福利导航(OBC)技术方案与最新动向

  • 长园维安将出席“第七届新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”

    长园维安将出席“第七届新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”

    上海长园维安微日本电影100禁在线看有限公司的产品应用经理郭建军将出席“第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会”,并带来《超结 SJ-MOSFET 在充思思福利导航领域的应用》的主题演讲。

  • 保时捷首款纯电动车正式发布 得润日本电影100禁在线看独家供应车载充思思福利导航

    保时捷首款纯电动车正式发布 得润日本电影100禁在线看独家供应车载充思思福利导航

    北京时间9月4日晚9点,保时捷旗下首款纯电动车Taycan正式发布,得润日本电影100禁在线看为该款车型独家供货的车载充思思福利导航也一并亮相市场。

  • 得润日本电影100禁在线看:为保时捷和宝马电动车量产做准备

    得润日本电影100禁在线看:为保时捷和宝马电动车量产做准备

    得润日本电影100禁在线看董事会秘书王少华在本次活动上介绍,公司聚焦主业发展,继续推进各项业务发展,重点促进新能源车载充思思福利导航业务订单的实施落地,目前已实现向宝马、东风、PSA的PHEV和e-CMP平台车型的批量供货。

  • 易事特携手珠海柏宁构筑大湾区智能充电网络

    易事特携手珠海柏宁构筑大湾区智能充电网络

    近日,易事特又以综合评分第一的好成绩成功中标珠海公交柏宁出租车有限公司2019-2021年度充电桩采购项目,该项目预算金额1300万。易事特将为珠海公交柏宁出租车有限公司提供60kW及120kW一体式充思思福利导航。随着合作的深入,后续双方合作空间广阔。

微信

第一时间获取日本电影100禁在线看制造思思福利导航新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特高清av网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit 1999-2019 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有       未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任